長鑫轉產 HBM，對其本業有何影響？

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正加速調整產品結構，計畫將其 DRAM 總產能的約 20%（約每月 6 萬片晶圓）轉向生產 HBM3，以應對 AI 晶片國產化的迫切需求。這項轉型直接衝擊其本業布局，長鑫已計畫於 2025 年第三季發布 DDR4 產品的生命週期終止（EOL）通知，並預計在 2026 年中全面淘汰伺服器與 PC 用 DDR4，將資源集中於 DDR5 與 HBM。儘管目前 HBM3 仍處於驗證階段且良率面臨挑戰，但長鑫透過大規模設備投資與產線升級，已將 DDR5 良率提升至 80%，顯示其正從低階大宗商品市場，快速轉向高附加價值的先進記憶體領域。

長鑫存儲此舉背後深受中國政府「半導體自給自足」政策主導，旨在打破華為等 AI 巨頭面臨的 HBM 供應瓶頸。從產業競爭來看，放棄毛利低迷且易受價格戰波動的 DDR4，轉攻 DDR5 與 HBM，是為了擺脫「低價競爭者」標籤並提升獲利能力。雖然美國出口管制導致美系設備商撤離維護人員，為其先進製程增添變數，但長鑫的產能轉移將導致全球 DDR4 供給縮減，反而有利於南亞科、華邦電等台廠接手訂單並支撐價格。長期而言，長鑫若能克服 12 層堆疊技術與良率關卡，將使全球 DRAM 市場從三強鼎立轉向四方角力，重塑 AI 供應鏈的權力結構。