聚焦 16 層技術，長鑫能否追趕韓廠？

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正加速推進先進製程，根據研調機構 TechInsights 拆解顯示，其最新 DDR5 產品已跳過原定的 17 奈米，直接採用 16 奈米（G4）製程量產，位元密度與性能已能與國際大廠早期產品競爭。長鑫更計畫於 2025 年完成 15 奈米（G5）開發，並於 2026 年下半年商業化。儘管目前技術仍落後三星、SK 海力士約 3 年，但隨著其 DDR5 速率達到 8,000Mbps，且在 HBM 領域成功量產 12 層堆疊產品，雙方在通用型 DRAM 的技術差距正縮小至一年左右，展現出強大的追趕力道。

長鑫存儲採取「跳躍式」研發策略，主因在於美國出口管制限制了 EUV 等先進設備取得，迫使廠商必須在現有 DUV 設備下極大化製程效率。這種策略不僅是為了突破封鎖，更是為了滿足中國國內 AI 算力與伺服器市場的去美化需求。隨著長鑫產能預計在 2025 年直逼美光，其利用成熟製程發動的價格戰已迫使韓系大廠退出低階 DDR4 市場。未來競爭的關鍵將在於 3D DRAM 技術的轉折點，若能繞過對 EUV 的依賴，中國廠商極有可能在 2030 年前後實現產業地位的洗牌，從追隨者轉變為市場規則的破壞者。