南亞科總經理李培瑛在法說會上證實,受惠於 AI 浪潮帶動高頻寬記憶體(HBM)與 DDR5 需求爆發,全球 DRAM 市場正陷入嚴重的產能排擠效應。由於國際大廠紛紛轉產先進製程,導致 DDR4 與 DDR3 出現顯著供給缺口,客戶為確保料源安全,紛紛主動要求簽署多年期長約(LTA)並鎖定價格。南亞科對此採取積極應對,透過長約機制防堵重複下單風險,並配合 2026 年高達 500 億元的資本支出計畫,加速新廠建設與技術升級,預計 2027 年投產以填補市場空缺,確保在供不應求的賣方市場中穩住出貨動能。
簽署長約的核心動機在於建立獲利護城河,將短期市場波動轉化為長期營運穩定性。在 AI 產能排擠導致成熟製程供給斷層的背景下,南亞科藉由 LTA 鎖定優質客戶,不僅能有效預測未來現金流,更能避免景氣反轉時的庫存積壓風險。這種策略在資本支出創下新高的擴張期尤為關鍵,能確保 2027 年新廠投產前的過渡期內,毛利率不因市場雜音而大幅震盪。對產業而言,這代表記憶體供應鏈正從過去的價格戰轉向「供應保證」導向,南亞科透過長約與客戶深度綁定,將有助於在 DDR4/DDR3 缺貨潮中獲取更高的議價主導權,進而優化整體產品組合與獲利結構。