HBM5 迎來技術轉折點，混合鍵合是否會成為產業標配？

隨著 AI 算力需求推升 HBM 堆疊層數，HBM5 已被視為混合鍵合（Hybrid Bonding）技術全面導入的關鍵轉折點。目前主流 HBM4 雖仍以微凸塊（micro-bump）搭配 TCB 或 MR-MUF 製程為主，但面對 20 層以上的超高堆疊需求，傳統封裝厚度受限於 775 微米的物理極限，使無凸塊的銅對銅直接連接技術成為必然選擇。SK 海力士、三星與美光等記憶體巨頭正加速布局相關設備，預計 2029 年問世的 HBM5 將透過混合鍵合大幅提升頻寬至 4TB/s，並解決高層數下的散熱與訊號完整性難題，正式宣告 HBM 進入無凸塊時代。

記憶體大廠爭相投入混合鍵合，核心動機在於打破物理微縮瓶頸並重塑競爭格局。三星試圖藉此技術在 HBM4 世代實現「彎道超車」，而 SK 海力士則在鞏固 MR-MUF 優勢之餘，將混合鍵合視為應對 20 層以上產品的戰略儲備。這場技術競賽不僅考驗廠商的良率控制與 ISO3 等級的潔淨室管控能力，更將引發商業模式的變革，使台積電等晶圓代工廠在 HBM 基礎晶片（Base Die）的角色更為吃重。未來，混合鍵合的普及程度將直接決定 AI 晶片在能效比上的天花板，成為衡量半導體封裝競爭力的關鍵指標。