10 兆韓圜採購 EUV 能否助三星重奪領先？

三星電子正加速推進先進製程佈局，傳出將投入高達 10 兆韓圜採購 ASML 的極紫外光（EUV）微影設備，重點鎖定次世代 High-NA EUV 機台。根據最新規劃，三星預計於 2026 年前導入多台 EXE:5200B 設備，單機造價約 5,500 億韓圜。此項投資不僅是為了強化 2 奈米及 1.4 奈米製程的量產競爭力，更包含與 ASML 合作在韓建立研發中心，力求在設備供應鏈中取得優先權。目前三星已在華城園區進行 High-NA EUV 驗證，目標透過提升解析度與量產效率，在 2025 年啟動 2 奈米 GAA 技術的商業化進程。

鉅額資本支出反映出三星在晶圓代工市佔落後下的焦慮，試圖以「設備先行」策略扭轉技術劣勢。然而，單純擁有硬體並不等同於良率優勢，三星目前 2 奈米製程良率仍徘徊在 40% 左右，遠低於競爭對手。High-NA EUV 的導入雖能提升電路精密度，但也帶來極高的折舊壓力與製程複雜度。若無法在短期內突破 GAA 架構的良率瓶頸，這筆投資恐演變成沉重的財務負擔。未來兩年將是關鍵，三星必須證明其垂直整合能力能將昂貴設備轉化為穩定的產出，否則與台積電的技術鴻溝將因設備維護成本而進一步擴大。