混合鍵合成本是否影響 HBM4 普及？

HBM4 世代即將進入量產，但「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術的普及進度正受到成本與規範放寬的雙重影響。隨著 JEDEC 將 HBM4 封裝高度上限放寬至 900 微米，原先被視為必須導入的無凸塊混合鍵合技術，在 16 層堆疊產品中不再是唯一選擇。目前 SK 海力士與三星雖積極研發，但考量到混合鍵合的設備投資極高且初期良率尚待磨合，多數廠商在 HBM4 初期仍傾向延續 MR-MUF 或 TCB 等成熟製程，以平衡高達 30% 以上的成本漲幅，這使得混合鍵合在 HBM4 階段的普及率低於預期。

記憶體大廠在 HBM4 階段對混合鍵合的態度分歧，反映出產業在技術領先與獲利能力間的權衡。三星試圖藉由提前導入混合鍵合實現「彎道超車」，藉此彌補在現有黏合技術上的劣勢；反觀 SK 海力士則採取穩健策略，試圖極大化現有 MR-MUF 技術的壽命以確保利潤。由於 HBM4 邏輯晶片委外台積電已推升顯著成本，若再強行導入昂貴的混合鍵合，恐進一步壓縮毛利。因此，混合鍵合的全面爆發點將延後至 20 層以上的 HBM5 世代，屆時物理極限將迫使成本不再是首要考量，技術轉型才具備絕對的必要性。