聯電重返記憶體對成熟製程供需有何影響？

隨著三星、美光等記憶體巨頭將產能全面轉向高頻寬記憶體（HBM）與 DDR5，傳統 DDR4、LPDDR4 及 NOR Flash 出現嚴重的結構性缺口，報價在 2026 年初預期季增逾 50%。聯電憑藉過去轉向成熟製程的策略布局，近期重新強化與記憶體相關應用的合作，填補大廠撤出後的產能真空。這項舉措直接緩解了消費性電子與 PC 產業的「斷糧」危機，也讓聯電在 12 奈米至 28 奈米的成熟製程市場中，獲得更穩固的議價權與訂單能見度。

記憶體大廠「棄舊換新」的獲利導向，為聯電創造了極佳的戰略切入點。這不僅是產能的填補，更是成熟製程價值的重新定義。透過承接被排擠的標準型記憶體邏輯晶片或特殊製程訂單，聯電能有效避開先進製程的資本競賽，同時利用地緣政治下供應鏈去風險化的趨勢，吸引急需穩定供貨的系統廠。長期來看，這將促使成熟製程供需趨於平衡，並帶動代工價格結構性上調，讓聯電在 AI 浪潮之外，靠著「非 AI 應用」的剛性需求迎來二度轉骨。