
本週舉行的 2023 年 IEEE 國際內連技術會議(IITC),比利時微電子研究中心(imec)展示成果,首次證實導體薄膜電阻於 12 吋矽晶圓可超越業界的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。厚度 7.7 奈米的鎳鋁二元合金經過晶粒工程後,可測得最低電阻為 11.5µWcm,是線寬 10 奈米以下達成低電阻內連技術的里程碑。
Imec 證實合金薄膜電阻首度超越銅和釕,推動先進金屬導線技術 |
作者
Atkinson |
發布日期
2023 年 05 月 24 日 18:00 |
分類
半導體
, 晶片
, 會員專區
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本週舉行的 2023 年 IEEE 國際內連技術會議(IITC),比利時微電子研究中心(imec)展示成果,首次證實導體薄膜電阻於 12 吋矽晶圓可超越業界的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。厚度 7.7 奈米的鎳鋁二元合金經過晶粒工程後,可測得最低電阻為 11.5µWcm,是線寬 10 奈米以下達成低電阻內連技術的里程碑。
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